CR5526ESX是一款高集成、高性能电流型 氮化镓PWM 控制开关，该控制电路在整个负载范围内都有比较高的转换效率。芯片内部频率优化实现了优异的 EMI效果，限制最小工作频率为25kHz，避免工作时产生噪声。CR5526ESX提供了完整的保护功能，包括逐周期过流保护(OCP)，过载保护（OLP）,输入欠压保护，输出过压保护和 VDD过压保护。CR5526ESX采用 ESOP7封装。
芯片概述
CR5526ESX 是一款电流模式控制的准谐振反激AC-DC 电源管理功率开关芯片，采用GaN HEMT 作为功率开关。芯片内部采用谷底导通模式工作，当磁芯能量完全释放完毕，变压器的初级电感和GaN HEMT结电容谐振到最低值时，初级功率管导通，从而改善功率管开通损耗，提高整个功率范围的效率。
高压启动
芯片内置高压启动电路，上电启动时，芯片通过HVS 对VDD 外置电容以2mA 的充电电流进行充电，直至VDD 电压升至大于UVLO_OFF 电压时，充电电流关闭，高压启动结束，芯片输出PWM 波，VCC 电容开始由辅助绕组供能。
多功能复用的DEM引脚
DEM 脚集合了输入电压上电检测、输入电压掉电检测、输入电压高低压检测、退磁检测、输出过压保护功能。由于功率管存在关断延迟，在高压输入下，为了防止输出最大功率偏大，芯片内置高低压功率补偿电路，使不同电网电压输入时的最大功率基本一致。
