CR6267SK/SJ/SH/SG系列规格书替SY50135
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型号 |
封装 |
90-264VAC |
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CR6267SG |
SOP-8L |
≤12W |
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CR6267SH |
SOP-8L |
≤15W |
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CR6267SJ |
SOP-8L |
≤18W |
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CR6267SK |
SOP-8L |
≤20W |
1. 实际最大功率必须保证足够的 DRAIN 散热面积，测试条件 45℃环境温度。增加散热面积或风冷来减
小热阻可以获得更高的输出功率。
* 集成化功率 MOSFET 的内阻和封装形式、散热、环境温度都有关系，本说明书所给值为
室温下分立封装的 MOSFET 内阻。
CR6267SK/SJ/SH/SG工作原理
CR6267 是一款高性能原边检测控制的 PWM 开关，待机功耗小于 75mW。CR6267 内部
采用了多模式控制的效率均衡技术，用于优化芯片系统待机功耗和提升效率，同时采用了初
级电感量补偿技术和内部集成的输出线电压补偿技术，保证了芯片在批量生产过程中
CC/CV 输出精度，内置的全电压功率自适应补偿技术保证了系统在全电压范围
（90Vac~264Vac）内输出恒定的功率。它采用原边控制方式，因此不需要 TL431 和光耦。
恒流/ 恒压工作
CR6267 作为充电器运用时，芯片首先工作在 CC 模式，并以恒定的输出电流对电池充
电，当电池电压达到满电压时迅速切换到 CV 工作模式，输出电压通过变压器绕组反馈到
FB 端，采样电路采样到的 FB 端电压与误差放大器基准电压比较放大以后再经过芯片内部
环路调节控制输出电压恒定。
CR6267SK/SJ/SH/SG工作原理
为了确保 CR6267 在 CC/CV 模式下正常工作，设计必须保证芯片工作在 DCM 模式。
在开关管导通期间，变压器初级电感电流以固定的斜率上升，在开关管关断时刻达到最
大值
P
I ，同时初级绕组上的电流按照一定的匝比关系转移到次级绕组上，所以次级绕组上
的峰值电流为：
FB 端通过辅组绕组和 GND 之间的分压电阻进行采样。内置采样电路在退磁时间一半
的时刻开始采样并保持到下一次采样，再将采样电压与误差放大器基准电压比较放大，根据
负载状态调整开关管关断时间来调整输出电压。
CC 工作点和输出功率可调
CR6267 通过调节 CS 端的外接电阻 R S 实现不同的 CC 工作电流和输出功率输出，在
R S 比较大的情况下，CC 工作点和输出功率都比较小，如图 2 所示。
CR6267SK/SJ/SH/SG开关频率
CR6267 的开关频率根据负载状态和工作模式的不同而改变。
当工作在反激断续工作模式下时，最大输出功率为
CR6267SK/SJ/SH/SG线损补偿
为了达到良好的负载调整率，CR6267 内部集成了线损补偿功能。FB 端的采样电压由两
部分组成：1、输出电压通过变压器绕组反馈到 FB 端的电压；2、芯片内部线损补偿电流流
过分压电阻所产生的电压，这个电流与开关管关断时间成正比，与负载电流成反比，所以使
得由于输出负载电流变化而导致的输出电压变化能够得到有效补偿。
最大补偿百分比为：
未完。。。
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