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启达CR启臣微CR5259_24V1A,24W,内置650V高压功率MOS

时间:2018-11-28 17:41
启达CR启臣微CR5259_24V1A,24W,内置650V高压功率MOSFET
CR5259

CR5259 芯片特性:
● CR5259 是采用内置 650V 高压功率 MOSFET,反激式 PWM 功率开关;
● 内置软启动,减小 MOSFET 的应力,内置斜坡补偿电路;
● 65kHz 开关频率,具有频率抖动功能,使其具有良好的 EMI 特性;
● 全电压输入范围,待机功耗:< 75mW;
● 输出接 24AWG 1.5 米,四点平均效率:>87.0%,满足“能源之星 V2.0-
VI 级能效”
● 具有“软启动、OCP、SCP、OTP、OVP 自动恢复等保护功能;
● 电路结构简单、较少的外围元器件,适用于小功率 AC/DC 电源适
配器、充电器。

目 录
CR5259_24V1A SMPS 工程样机测试报告.....................................................................................- 1 -
1 样机介绍:................................................................................................................................- 3 -
2 样机特性:................................................................................................................................- 4 -
1.2 输入特性:......................................................................................................................- 4 -
2.2 输出特性:.....................................................................................................................- 4 -
2.3 整机参数:.....................................................................................................................- 4 -
2.4 保护功能测试:.............................................................................................................- 4 -
2.5 工作环境:.....................................................................................................................- 5 -
2.6 测试仪器..........................................................................................................................- 5 -
3 样机结构信息:........................................................................................................................- 5 -
3.1 电路原理图及 PCB 版图:...........................................................................................- 5 -
3.2 变压器绕制工艺:.........................................................................................................- 7 -
3.3 元器件清单:.................................................................................................................- 7 -
4 性能测评:................................................................................................................................- 8 -
4.1 输入特性:.....................................................................................................................- 8 -
4.2 输出特性:.....................................................................................................................- 9 -
4.1.2 线性调整率和负载调整率:............................................................................- 9 -
4.2.2 输出电压纹波:..............................................................................................- 10 -
4.3 保护功能:...................................................................................................................- 11 -
4.3.1 过流保护:......................................................................................................- 11 -
4.3.2 短路保护:功率计限流电流为 2.5A.............................................................- 11 -
4.4 动态测试:...................................................................................................................- 11 -
4.5 系统延时时间测试:..................................................................................................- 13 -
5 其它重要波形测试:..............................................................................................................- 13 -
6 温度测试:...............................................................................................................................- 13 -
7 EMI 评估测试..........................................................................................................................- 14 -

1 样机介绍:
该测试报告是基于一个能适用于宽输入电压范围,输出功率 24W,恒压输出
的工程样机,控制 IC 采用了本公司的 CR5259。
CR5259
R5259是一款采用内置高压功率MOSFET,具有优化的图腾驱动电路以及电流
模式PWM控制器,适用于待机功耗<75mW的小功率AC/DC电源适配器、充电器电源。
CR5259在重载或中等负载时,工作在PWM模式,频率为65kHz。当负载逐渐减小时,
振荡器的工作频率逐渐降低,最后稳定在 22kHz左右。在空载和轻载时,电路采
用间歇模式,有效的降低了待机功耗。
该样机大小73.8mm×36.8mm,AC264V输入待机功耗<75mW,平均效率>87.0%,
能够满足“能源之星V2.0 VI级能效”与欧洲COCT2标准;具有“软启动、OCP、
SCP、OTP、OVP自动恢复”等多种保护功能;由振荡电路产生的频率抖动,可以
改善EMI特性。
机的变压器,采用了EE22加宽磁芯(PC40材质),变压器绕制工艺部分,
请见后文详细说明。
2 样机特性:
以下表格为工程样机的主要特性,具体测试方法在第4章节中有详细说明。
1.2 输入特性:
CR5259

 
3 样机结构信息:
本小节展示了工程样机的电路、版图结构,变压器结构及工艺。
3.1 电路原理图及 PCB 版图:
(1)原理图:


未完。。。
由于资料过多,未上传完毕,如需更详细资料,请找客服索要!!!
 
 

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