CLR6300采用SOT23-6L封装
使用说明
CLR6300支持在CCM，DCM和准谐振拓扑中运行。 在DCM或准谐振拓扑中工作，控制电路控制栅极处于正向模
式，并在MOSFET电流相当低时关断栅极。 在CCM操作中，当发生非常快速的瞬变时，控制电路关闭输出电压。
● 欠压保护功能
当VDD低于UVLO阈值时，器件处于睡眠模式，Vg引脚被10kΩ电阻拉低低。
● 内置过温保护功能
如果芯片的结温超过150℃，Vg将被拉低，外部开关不导通。 结温降至115℃后，器件将恢复正常工作。
● 消隐
控制电路包含一个消隐功能。 当它打开/关闭MOSFET时，它确保开/关状态至少持续一段时间。 导通消隐时间大
约为1.6us，这决定了最小导通时间。在消隐期间，关断阈值不会完全消隐，而是将阈值电压改为大约+ 50mV（而不是
-20mV）。这确保在消隐期间可以始终关闭外部开关。（尽管速度会变慢，所以不建议在反激式转换器的CCM条件下
将同步时段设置为小于1.6us，否则可能会导致直通）。
● 开启阶段
当同步MOSFET导通时，电流将流过其体二极管，在其两端产生负Vds。 因为这个体二极管的电压降（<-500mV）
远小于控制电路（-70mV）的导通阈值，所以在约100ns导通延迟后使栅极驱动器电压升高，导通同步MOSFET。
一旦触发开启阈值（-70mV），将添加一个消隐时间（最小导通时间：约1.6us），在此期间，关闭阈值将从-15mV
变为+ 50mV。同步MOSFET的导通振铃容易误触发到关断阈值，这个消隐时间有助于避免此误触发。
未完。。。
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