芯片特征:
² 内置 600V 功率 MOS 管
² 过温保护功能
² 低的启动电流:3uA(Typ)
² 低的工作电流:2mA(Typ)
² 内置软启动以减小 MOSFET 应力
² 内置频率抖动以改善 EMI 特性
² 内置斜波补偿电路
² 50KHz 的开关频率
² 为改善效率和最小待机功耗而设计的 Hiccup Mode & PFM 工作模式
² VDD 欠压保护(UVLO)、过压保护(OVP)及 VDD 电压钳位功能、OLP 等多种自恢复保护
高效节能:
满足能源之星EPS 2.0版Ⅴ级能效标准
应用领域:
² 电池充电器
² 数码产品适配器
² VCR,SVR,STB,DVD 等电源
² PC,TV 辅助电源
² 开放式电源
管脚信息:
典型应用电路图
:
一、芯片工作原理
1.功能概述:
CR522X 是用于 24W 以内离线式开关电源 IC,该 IC 含有高压功率 MOSFET,具有优化的图腾驱动电
路以及电流模式 PWM 控制器。PWM 控制器包含 50KHz 固定的频率振荡发生器以及各种保护。由振荡电
路产生的频率抖动,可以改善 EMI 特性。
为了获得良好的效率和待机功耗,CR522X 在重载或中等负载时,工作在 PWM 模式,频率为 50KHz。
当负载逐渐减小时,振荡器的工作频率逐渐降低,最后稳定在 22KHz 左右。在空载和轻载时,电路采用间
歇模式,有效的降低了待机功耗。
保护功能包括:欠压锁定、过压保护及钳位、过载保护等,各种保护解除后均可自动恢复工作。
由于 CR522X 高度集成,使用外围元件较少。采用 CR522X 可简化反激式隔离 AC-DC 开关电源设计,
从而使设计者轻松的获得可靠的系统。
2.欠压锁定和启动电路
系统在上电时,整流后的高压通过启动电阻 R
IN 为 V
DD 端的电容 C1 充电,直到 VDD 端电压达到芯片
的启动电压 V
DD_ON(典型 14.8V)时,芯片启动并且驱动整个电源系统工作。如果发生保护,输出关断,导
致辅助绕组掉电,VDD 端电压开始下降,当 VDD 端电压低于芯片的关闭电压 V
DD_OFF(典型 9V)时,控
制电路关断,芯片消耗电流变小,进入再次启动序列。
由于芯片的启动电流 I
DD_ST 仅 3uA,且考虑到空载的系统损耗,R
IN 可取较大值。对于 90Vac~264Vac
输入范围,R
IN 可在 1.5MΩ~3MΩ 范围内选取,C1 推荐选用 10uF/50V。
系统启动过程中,最大启动延迟时间可用下式计算:
如果需要系统具有更快的启动时间且在系统成本允许的情况下,可采用如下电路:
在这个电路中 C1 的值可以取得较小(但需要考虑系统的稳定性),R
IN 的值可以取得较大。这样既可缩
短系统的启动时间同时也可降低系统空载时的损耗。
启动电阻RI上最大损耗:
其中, V
DC,MAX是最大输入整流后电压
对于一个通用输入(90Vac~264Vac),V
DC,MAX=374V
|
374
2
P 93mW
R ,MAX
6
1.510
IN |