时间：2017-02-13 15:05

启达CR6332 应用设计指导书 V1.0
补偿 内置原边绕组电感补偿 内置输出线压降补偿                               
VDD  欠压保护(UVLO)、过温保护(OTP)、过压保                            
护(OVP)及 VDD 电压钳位功能        

典型应用:
           
CR6332 应用设计指导书：
           
CR6332 应用说明:

型号	MOSFET   RDS(ON)	最大输出功率		封装	推荐应用领域
		90Vac~264Vac	230Vac
CR6332	Typ. 2.5Ω	10W	12W	SOP-7	充电器，小功率适配器，LED 驱动 线性电源/RCC 替换

备注：实际最大功率必须保证芯片 DRAIN 端口有足够散热面积，增加散热面积或风冷来减小热阻可以 获得更高的输出功率。
应用指导:
CR6332 采用反激式电路结构,输出和输入高压使用变压器隔离。在这种反激拓扑中，开关管导通时，变 压器储存能量，负载电流由输出电容提供；
开关管关断时，变压器将储存的能量传递到负载和输出滤波电 容，以补偿电容单独提供负载电流所消耗的能量。
 
一、启动电路
1.传统启动
电源上电开机时，通过启动电阻 RIN 为 VDD 端的电容 C1 充电，直到 VDD 端电压达到芯片的启动电压
VDD_ON 时芯片启动并且驱动整个电源系统工作。
   
在这个过程中，最大启动延迟时间可用下式计算：           
由于芯片具有低启动电流的特性且考虑到空载的系统损耗，RIN 可取较大值，具体值可在 1.5MΩ~3MΩ
范围内选取，C1 推荐选用 10uF/50V。
另外，还有一种整流前启动方式，启动电阻 RIN 接在整流前，这种方式可降低待机功耗，提高效率，但 启动延迟时间变长。这里不做说明，请参阅相关资料。

2.快速启动
如果需要系统具有更快的启动时间且在系统成本允许的情况下，可采用如下电路：

在这个电路中 C1  的值可以取得较小(但需要考虑系统的稳定性)， RIN 的值可以取得较大。这样既可缩短系统的启动时间同时也可降低系统空载时的损耗。
启动电阻RI上最大损耗：