功能描述：
DK5V45R10 是同步 。芯片内部集成了 45V 功率 NMOS 管，可以大幅 降低二极管导通损耗，提高整机效率，取代或替换目前市场上等规的肖特基 整流二级管。
产品特点：
支持 DCM 和 QR 模式反激系统。
内置 10 mΩ 45V 功率 NMOS 管。
特有的自供电技术，无需外部供电电源。
自检测开通关断，无需外部同步信号。
可直接替换肖特基管。
应用领域
反激电源转换器
反激电源适配器
引脚说明：
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引脚 |
功能描述 |
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K |
应用时同二极管阴极。 |
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A |
应用时同二极管阳极。 |
电气参数
TA=25℃
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Item |
Symbol |
Condition |
Min |
Typ |
Max |
Unit |
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功率 MOS 开通电压 |
Von |
先测 N 点电压 |
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-230 |
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mV |
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功率 MOS 开通延迟 |
Tdon |
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150 |
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ns |
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功率 MOS 关闭延迟 |
Tdoff |
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50 |
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ns |
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功率 MOS 导通电阻 |
Rdson |
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8 |
10 |
15 |
mΩ |
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最大峰值电流 |
Ipeak |
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60 |
A |
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Breakdown 电压 |
Vbr |
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40 |
45 |
50 |
V |
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VCC 启动电压 |
VCC_on |
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5 |
|
V |
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VCC 复位电压 |
VCC_uvlo |
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4 |
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V |
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VCC 电压 |
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11 |
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V |
功能描述
自供电
DK5V45R10 内置储能电容和自供电线路，可以实现芯片和功率 MOS 管驱动需求，无需外 接电源。
启动
在上电时，通过自供电线路，给 VCC 供电，VCC 电压逐渐上升。在 VCC 电压低于启动电 压 VCC_on 时，内置功率 MOS 管关闭，依靠功率 MOS 管寄生体二极管导电。当 VCC 电压大于 VCC_on 时，结束启动状态。当 VCC 电压降低到复位电压 VCC_uvlo 以下时，芯片重新进入启 动状态。
功率 MOS 控制
当检测到 P、N 端正向导通电压大于开通电压 Von 时，则打开功率 MOS 管；当检测到流
过功率 MOS 管的电流逐渐减小到 0 时，即 P、N 端正向导通电压为零时，则关闭功率 MOS 管。
缓冲电容电阻
在启动、输出短路、输入电压过高,CCM 模式等容易在二极管体产生尖峰电压，为防止 内置功率 MOS 管过压击穿，可以在 A 和 K 之间接入 RC 吸收电路，以减小 N 点的尖峰电压。
导通内阻：
在工作过程中，随着温度升高，内阻值会增大，效率会降低，适当的增加散热面积，降 低 IC 的工作温度。
