时间：2016-06-14 15:34

l 待机低于75mW
l 原边检测拓扑结构，无需光耦和TL431
l 全电压范围内高精度恒压和恒流输出
l 可编程CC/CV模式控制
l 采用多模式控制的效率均衡技术
l 动态负载调节
l 内置输出线电压补偿功能
l 内置初级电感量偏差补偿功能
l 内置全电压功率自适应补偿功能
l 内置过温度保护功能
l 内置输出过压保护功能
l 内置输出短路保护功能
l 内置前沿消隐
l 启动电流和工作电流小
l VDD端过压保护
l 逐周期过流保护
l 4个引脚散热
l SOP-8L绿色封装

产品概述

CR635X 是一款高性能原边检测控制的 PWM 开关，待机功耗小于 75mW。CR635X 内 部采用了多模式控制的效率均衡技术，用于优化芯片系统待机功耗和提升效率，同时采用了 初级电感量补偿技术和内部集成的输出线电压补偿技术，保证了芯片在批量生产过程中 CC/CV 输出精度，内置的全电压功率自适应补偿技术保证了系统在全电压范围（90V~264V） 内输出恒定的功率。
CR635X 集成了多种功能和保护特性，包括欠压锁定（UVLO），VDD 过压保护（OVP）， 软启动，过温保护（OTP），逐周期电流限制（OCP），输出过压保护，FB  引脚悬空保护， 输出短路保护，内置前沿消隐电路，使得芯片具有更高的可靠性。

 

引脚	符号	描述
1	CS	电流采样电阻引脚，用于初级峰值电流检测。
2	GND	地引脚。
3	VDD	IC 供电引脚。该引脚为芯片的正常工作提供电压。
4	FB	辅助绕组电压反馈输入端，通过一个电阻分压器连接到反射输 出电压的辅助绕组上。
5/6/7/8	DRAIN	HV MOSFET 漏端引脚。

极限参数

电气特性

（VDD=16V, TA=25℃ 除了另作说明）
 

符号	参数	测试条件		最小	典型	最大	单位
电源电压（VDD 引脚）
IST	VDD 启动电流	VDD=15V			5	15	μA
IOP	工作电流	VFB=2.5V			0.8	1.0	mA
UVLO_ON	导通阈值电压			7.0	7.6	8.2	V
UVLO_OFF	关断阈值电压			15.8	16.8	17.8	V
VDD_OVP	VDD OVP 触发电 压	VCS=0V,VFB=2.5V		23	25	27	V
电流检测引脚(CS Pin)
TLEB	LEB 时间				300		ns
TD_OC	过流检测控制延时				100		ns
VTH_OC_MIN	最小 OCP 过功率阈 值电压			485	500	515	mV
VTH_OC_MAX	最大 OCP 过功率阈 值电压				580		mV
TON_MAX	最大开启时间				50		μs
FB 引脚
VFB_REF	反馈环路 FB  阈值 电压			2.475	2.5	2.525	V
TPAUSE_MIN	最小关断时间				2		μs
F_MIN	最小频率			300	400	500	Hz
ICOMP_MAX	最大线补电流			40	45	50	μA
VOUT_OVP	输出过压阈值电压			2.95	3.05	3.15	V
功率 MOSFET
BVdss	MOSFET  漏源击穿 电压	VGS=0V, IDS=250μA		600			V
RDS_ON*	MOSFET 漏源静态 导通电阻	VGS=10V IDS=1.0A	CR6357 SOP-8L			4.4	ohm
		VGS=10V IDS=1.5A	CR6358 SOP-8L			3.5	ohm
过温保护
OTP_TH	过温保护				160		℃
OTP_REC	恢复温度				130		℃

*  集成化功率 MOSFET 的内阻和封装形式、散热、环境温度都有关系，本说明书所给值为室温下分立封装的 MOSFET 内阻。

工作原理

CR635X 是一款高性能原边检测控制的 PWM 开关，待机功耗小于 75mW。CR635X 内 部采用了多模式控制的效率均衡技术，用于优化芯片系统待机功耗和提升效率，同时采用了 初级电感量补偿技术和内部集成的输出线电压补偿技术，保证了芯片在批量生产过程中 CC/CV 输出精度，内置的全电压功率自适应补偿技术保证了系统在全电压范围（90V~264V） 内输出恒定的功率。它采用原边控制方式，因此不需要 TL431 和光耦。
 

恒流/恒压工作

CR635X 作为充电器运用时，芯片首先工作在 CC 模式，并以恒定的输出电流对电池充 电，当电池电压达到满电压时迅速切换到 CV 工作模式，输出电压通过变压器绕组反馈到 FB 端，采样电路采样到的 FB 端电压与误差放大器基准电压比较放大以后再经过芯片内部 环路调节控制输出电压恒定。
 

工作原理

为了确保 CR635X 在 CC/CV 模式下正常工作，设计必须保证芯片工作在 DCM 模式。 在开关管导通期间，变压器初级电感电流以固定的斜率上升，在开关管关断时刻达到最 大值 I P ，同时初级绕组上的电流按照一定的匝比关系转移到次级绕组上，所以次级绕组上
的峰值电流为：