您当前位置:-> 主页 > 新闻中心 > 行业新闻

行业新闻

NEWS

启达六级能效CR6855L替换OB2273/A、NE1102

时间:2016-02-23 09:37
CR6855L100mW 待机的低成本绿色节能 PWM 控制器
CR6855L直接替换OB2273/A、NE1102

主要特点

• 低待机功耗(<100mW)
• 低启动电流 (约5μA)
• 低工作电流 (约1.5mA)
• 内置软启动技术降低开机MOSFET功 率管漏源电压应力
• 过温保护外部可调
• 内置VDD过压保护以及嵌位保护功 能,并且具有VDD过压外部可调功能
• 具有OTP和VDD过压保护自恢复功能
• PWM&PFM&CRM 控制
• 电压/电流双环路模式控制
• 内置同步斜坡补偿增强环路稳定性
• 低EMI技术
• 内置65kHz固定PWM频率
• 轻载工作无音频噪音
• 内置前沿消隐(LEB)
• 内置动态峰值电流补偿功能,在输入 AC85V~264V的宽电压下可实现恒定 最大输出功率
• GATE引脚驱动输出高电平钳位12V
• 欠压锁定(UVLO)、周期电流限制、软 启动、SCP、OLP、OTP和VDD_OVP 带LATCH锁存保护功能等保护功能
• 3000V ESD
• SOT23-6L、DIP-8L绿色封装

基本应用

• AC/DC电源适配器
• 开放式电源
• 备用开关电源
• 机顶盒开关电源

产品概述

CR6855L 是一款高集成度、低功耗的电流模式 PWM 控制芯片,该芯片适用于离线式 AC-DC 反激拓扑的小功率电源模块。芯片内置固定 65kHz 工作频率;在轻载和无负载情况 下自动进入 PFM 和 CRM,可以有效减小电源模块的待机功耗,达到绿色节能的目的。 CR6855L 具有很低的启动电流,因此可以采用一个 2M 欧姆的启动电阻。为了提高系统的稳 定性,防止次谐波振荡,CR6855L 内置了同步斜坡补偿电路;动态峰值限制电路减小了在 宽电压输入(AC90V~264V)时最大输出功率的变化;内置的前沿消隐电路可以消除开关管每 次开启产生的干扰。CR6855L 内置了多种保护功能,驱动输出采用的图腾柱和软驱动技术 有效降低了开关噪声。

OB2273
引脚描述
 
名称 描述
GND 芯片地
FB 输出电压反馈输入脚。引脚的输出电流可以控制芯片工作周期、短路保护和过
载保护
RT 用来外围调节过温保护,也可以用于外围调节VDD过压保护
CS 原边电流检测脚,通过检测CS电阻检测流过功率管的电流大小,通过该脚可以
调节最大输出功率
VDD 芯片供电电源
GATE 图腾柱输出驱动外围功率管

CR6855L
CR6855L
极限参数
符号 参数 值 单位
VDD 工作电压 30 V
IOVP VDD过电压时最大输入电流 10 mA
VFB FB引脚工作电压 -0.3 to 6 V
VCS CS引脚工作电压 -0.3 to 6 V
 
ESD
ESD能力-人体模式 3000 V
ESD能力-机械模式 300 V
 
TL
焊接温度 10秒 SOT23-6L 220 ℃
10秒 DIP-8L 260 ℃
TSTG 储存温度范围 -55 to + 150 ℃
 
推荐工作环境
符号 参数 最小~最大 单位
VDD VDD 电源电压 10~23 V
TOA 工作环境温度 -20~85 ℃
PO 最大输出功率 0~60 W

电气特性
(TA=25°C, VDD= 16V,除非另作说明)
 
符号 参数 环境 最
小
典型 最
大
单位
电源电压(VDD Pin)
IST 启动电流     5.0 20.0 μA
IOP 正常工作电流 VFB=3V   1.5 2.5 mA
UVLO_OFF 开启电压   12.5 13.5 14.5 V
UVLO_ON 关闭电压   6 7 8 V
VDD_PULL GATE上拉PMOS导通触发
电压
    13   V
VDD_CLAMP VDD引脚钳位电压 IVDD=10mA 30 32 34 V
VDD_OVP VDD过压保护电压   24 26 28 V
VDD_LATCH_RELE
ASE
解除LATCH状态的VDD电
压
    5   V
电压反馈 (FB Pin)
IFB 短路电流 VFB=0V   0.4   mA
VFB FB开路电压 VFB=OPEN   4.2   V
DMAX 最大占空比   75 80 85 %
VREF_GREEN 进入PFM模式时基准电压点     1.4   V
VREF_CRM_H 退出CRM模式时基准电压点     0.675   V
VREF_CRM_L 进入CRM模式时基准电压点     0.575   V
VOLP 进入OLP,FB电压     3.5   V
TOLP OLP延迟时间   80 88 96 ms
电感(CS Pin)
TSS 软启动时间     4   ms
TLEB 前沿消隐屏蔽时间     220   ns
ZCS_IN CS输入阻抗     40   kohm
TD_OC 过流检测延迟时间     120   ns
VTH_L 峰值限制低端电压
(DMIN=0%)
    0.75   V
VTH_H 峰值限制高端电压
(DMAX=80%)
    0.9   V
振荡器
FOSC PWM工作时频率   60 65 70 kHz
FPFM PFM工作最低频率     22   kHz
ΔFVDD 频率VDD电压稳定性     1   %
ΔFTEMP 频率温度稳定性 -30-100℃   1   %
FJITTER 频率抖动   -4   4 %
门驱动输出(GATE Pin)
VOL GATE输出低电平 VDD=14V, IO=5mA     1 V

 
VOH GATE输出高电平 VDD=14V, IO=5mA 6     V
TR 上升时间1 CL=1nF   123   ns
TF 下降时间1 CL=1nF   71   ns
VG_CLAMP GATE输出钳位电压 VDD=20V   12   V
过温保护(RT)
IRT RT端直流偏置电流     100   μA
VTH_OTP 过温保护检测电压   0.95 1 1.05 V
TD_OTP 过温检测防误触发屏蔽时间     32   CLK
VRT_NC RT悬空电压     2.3   V
VTH_OVP 外围可调OVP直流电压     4   V

工作原理描述

启动电流和欠压锁定
CR6855L 是一款高集成度、低功耗的电流模式 PWM 控制芯片,该芯片适用于离线式 AC-DC 反激拓扑的中小功率电源模块。芯片内置固定 65kHz 工作频率;在轻载和无负载情 况下自动进入 PFM 和 CRM,这样可以有效减小电源模块的待机功耗,达到绿色节能的目的。 CR6855L 具有很低的启动电流,因此一个 2M 欧姆的启动电阻和一个 10μF/50V 电容器相配 合可以有效保证 VDD 电压正常启动。
CR6855L的启动/关闭电压被设定在13.5V/7V。启动时,VDD电容器必须通过启动电阻 充电高于13.5V,关闭时,VDD电容上的电压必须低于7V。这6.5V的迟滞电压有效地保证了 芯片能够正常启动。
 

绿色节能

对小功率反激电源而言,主要的待机损耗包括传导损耗、开关损耗和控制芯片的损耗, 而这些损耗都和开关频率有关。在轻负载或者无负载时,降低PWM工作频率,可以减小待 机功耗。为了实现小于100mW的待机功耗,CR6855L采用了PWM、PFM 和CRM相结合的 控制方法:在中等负载或重载时,CR6855L工作在PWM模式,频率为65kHz ,通过调节脉 冲宽度控制输出电压。 FB 电压随着负载减小而减小,当 FB反馈电压小于设定电压值 VREF_GREEN时,内部模式控制器进入PFM,振荡器的工作频率随着负载的降低而降低,并最 终嵌位在22kHz附近。为了进一步降低待机功耗,CR6855L引入一种周期复位技术,当FB端 的反馈电压进一步降低到小于VREF_CRM_L时,内部逻辑电路在PWM的下降沿对寄存器复位, 在PWM上升沿通过检测输出电压值对寄存器置位。内部振荡器频率保持不变,逻辑电路将 会复位一些脉冲以至于在输出GATE的实际频率降低,从而进一步降低待机功耗。
 

同步斜坡补偿

电流模式控制比普通的电压模式控制具有很多优点,但是同样存在着一些缺点。特别是 当PWM占空比大于50 %,整个控制环路可能变得不稳定,抗干扰性能变差。CR6855L内置一个 同步的斜坡补偿可以提高系统的稳定性,防止电压毛刺产生的次谐波振荡。
 

短路保护和过载保护

CR6855L提供了一个较好的短路和过载保护功能,当短路或过载发生的时候,FB反馈 引脚的电压将会升高,当电压超过3.7V,内部探测电路检测到该状态并延迟88ms以后发出 一个信号控制关断GATE输出,然后VDD电压跌破UVLO_ON电路重启。

软启动

每一次VDD电源启动瞬间,CR6855L芯片内部都将触发软启动功能,即在VDD电压达 到UVLO_OFF以后,在大约4ms时间内,峰值电流从0上升到最大值峰值电流,以减少电源启 动期间功率管电压应力。注意:无论何种保护导致的VDD再次启动,都必将触发软启动功 能。
 

前沿消隐(LEB)

开关管的每次开启不可避免带来开关毛刺,它通过RCS采样后,对内部逻辑电路带来干 扰,引起内部寄存器的误动作。为了消除开关毛刺的影响,CR6855L中设计了220ns的前沿 消隐电路,它可以代替传统的外接RC滤波电路,节省外围元件。
NE1102

过压保护 (OVP)和过温保护(OTP)

为了提高芯片的可靠性,CR6855L中集成了VDD过压保护和外围可调的过温保护功能, 当发生VDD过压保护或者过温保护的时候,芯片关闭GATE输出,并进入LATCH锁存保护状 态,在此状态下,GATE端始终没有输出波形,只有通过拔掉交流输入电压并且将VDD端电 压降低到小于4V以下之后,再接通交流输入电压,等VDD端电压上升到大于UVLO_OFF电压 以后才能解除LATCH锁定状态。
 

输出驱动和软钳位

CR6855L 输出采用图腾柱结构驱动外围功率 MOS 管;为了减小驱动时的贯通电流,引 入了死区时间,如图:当一个 NMOS 关断后,另外一个 NMOS 才开启;同时,为了保护外 围的功率管不会发生栅击穿和钳位齐纳管的电流饱和,在输出上采用了软钳位技术。
CR6855L

低电磁干扰技术(Low EMI)

CR6855L引进了频率低电磁干扰技术。如下图所示,内部振荡器频率可自行调节。整个 上升周期包括128脉冲,抖动范围在-4%到+4%。因此这个功能可以使对电源模块的电磁干扰 降到最低。
CR6855L
CR6855L
CR6855L
尺寸描述

符号 毫米 英寸
  最小 典型 最大 最小 典型 最大
A     5.334     0.210
A1 0.381     0.015    
A2 3.175 3.302 3.429 0.125 0.130 0.135
b 1.470 1.524 1.570 0.058 0.060 0.062
b1 0.380 0.460 0.510 0.015 0.018 0.021
D 9.017 9.271 10.160 0.355 0.365 0.400
E 7.620 7.870 8.25 0.300 0.310 0.325
E1 6.223 6.350 6.477 0.245 0.250 0.255
e 2.500 2.540 2.580 0.098 0.100 0.102
L 2.921 3.302 3.810 0.115 0.130 0.150
eB 8.509 9.017 9.525 0.335 0.355 0.375
θ? 0? 7? 15? 0? 7? 15?

CR6855L
符号 单位(毫米) 单位(英寸)
  最小 最大 最小 最大
A 0.700 1.150 0.028 0.045
A1 0.000 0.100 0.000 0.004
B 1.397 1.803 0.055 0.071
b 0.300 0.559 0.012 0.022
C 2.591 3.000 0.102 0.118
D 2.692 3.099 0.106 0.122
e 0.838 1.041 0.033 0.041
H 0.080 0.254 0.003 0.010
L 0.300 0.610 0.012 0.024

CR6855L
产品型号 封装类型 包装材质 一管 一盒 一箱
CR6855L DIP-8L 料管 50 2000 20000

 CR6855L
产品型号 封装类型 包装材质 一盘 一盒 一箱
CR6855L SOT23-6L 编带 3000 30000 120000

产品最小订购量为30000片,即一盒的芯片数
 
[返回]

Copyright © 2002-2011 DEDECMS. 深圳市佳仕达科技有限公司 版权所有 粤ICP备06108901号 Power by DedeCms