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启达六级能效CR6855L替换OB2273/A、NE1102

时间:2016-02-23 09:37
CR6855L100mW 待机的低成本绿色节能 PWM 控制器
CR6855L直接替换OB2273/A、NE1102

主要特点

• 低待机功耗(<100mW)
• 低启动电流 (约5μA)
• 低工作电流 (约1.5mA)
• 内置软启动技术降低开机MOSFET功 率管漏源电压应力
• 过温保护外部可调
• 内置VDD过压保护以及嵌位保护功 能,并且具有VDD过压外部可调功能
• 具有OTP和VDD过压保护自恢复功能
• PWM&PFM&CRM 控制
• 电压/电流双环路模式控制
• 内置同步斜坡补偿增强环路稳定性
• 低EMI技术
• 内置65kHz固定PWM频率
• 轻载工作无音频噪音
• 内置前沿消隐(LEB)
• 内置动态峰值电流补偿功能,在输入 AC85V~264V的宽电压下可实现恒定 最大输出功率
• GATE引脚驱动输出高电平钳位12V
• 欠压锁定(UVLO)、周期电流限制、软 启动、SCP、OLP、OTP和VDD_OVP 带LATCH锁存保护功能等保护功能
• 3000V ESD
• SOT23-6L、DIP-8L绿色封装

基本应用

• AC/DC电源适配器
• 开放式电源
• 备用开关电源
• 机顶盒开关电源

产品概述

CR6855L 是一款高集成度、低功耗的电流模式 PWM 控制芯片,该芯片适用于离线式 AC-DC 反激拓扑的小功率电源模块。芯片内置固定 65kHz 工作频率;在轻载和无负载情况 下自动进入 PFM 和 CRM,可以有效减小电源模块的待机功耗,达到绿色节能的目的。 CR6855L 具有很低的启动电流,因此可以采用一个 2M 欧姆的启动电阻。为了提高系统的稳 定性,防止次谐波振荡,CR6855L 内置了同步斜坡补偿电路;动态峰值限制电路减小了在 宽电压输入(AC90V~264V)时最大输出功率的变化;内置的前沿消隐电路可以消除开关管每 次开启产生的干扰。CR6855L 内置了多种保护功能,驱动输出采用的图腾柱和软驱动技术 有效降低了开关噪声。

OB2273
引脚描述
 
名称 描述
GND 芯片地
FB 输出电压反馈输入脚。引脚的输出电流可以控制芯片工作周期、短路保护和过
载保护
RT 用来外围调节过温保护,也可以用于外围调节VDD过压保护
CS 原边电流检测脚,通过检测CS电阻检测流过功率管的电流大小,通过该脚可以
调节最大输出功率
VDD 芯片供电电源
GATE 图腾柱输出驱动外围功率管

CR6855L
CR6855L
极限参数
符号 参数 单位
VDD 工作电压 30 V
IOVP VDD过电压时最大输入电流 10 mA
VFB FB引脚工作电压 -0.3 to 6 V
VCS CS引脚工作电压 -0.3 to 6 V
 
ESD
ESD能力-人体模式 3000 V
ESD能力-机械模式 300 V
 
TL
焊接温度 10秒 SOT23-6L 220
10秒 DIP-8L 260
TSTG 储存温度范围 -55 to + 150
 
推荐工作环境
符号 参数 最小~最大 单位
VDD VDD 电源电压 10~23 V
TOA 工作环境温度 -20~85
PO 最大输出功率 0~60 W

电气特性
(TA=25°C, VDD= 16V,除非另作说明)
 
符号 参数 环境
典型
单位
电源电压(VDD Pin)
IST 启动电流     5.0 20.0 μA
IOP 正常工作电流 VFB=3V   1.5 2.5 mA
UVLO_OFF 开启电压   12.5 13.5 14.5 V
UVLO_ON 关闭电压   6 7 8 V
VDD_PULL GATE上拉PMOS导通触发
电压
    13   V
VDD_CLAMP VDD引脚钳位电压 IVDD=10mA 30 32 34 V
VDD_OVP VDD过压保护电压   24 26 28 V
VDD_LATCH_RELE
ASE
解除LATCH状态的VDD电
    5   V
电压反馈 (FB Pin)
IFB 短路电流 VFB=0V   0.4   mA
VFB FB开路电压 VFB=OPEN   4.2   V
DMAX 最大占空比   75 80 85 %
VREF_GREEN 进入PFM模式时基准电压点     1.4   V
VREF_CRM_H 退出CRM模式时基准电压点     0.675   V
VREF_CRM_L 进入CRM模式时基准电压点     0.575   V
VOLP 进入OLP,FB电压     3.5   V
TOLP OLP延迟时间   80 88 96 ms
电感(CS Pin)
TSS 软启动时间     4   ms
TLEB 前沿消隐屏蔽时间     220   ns
ZCS_IN CS输入阻抗     40   kohm
TD_OC 过流检测延迟时间     120   ns
VTH_L 峰值限制低端电压
(DMIN=0%)
    0.75   V
VTH_H 峰值限制高端电压
(DMAX=80%)
    0.9   V
振荡器
FOSC PWM工作时频率   60 65 70 kHz
FPFM PFM工作最低频率     22   kHz
ΔFVDD 频率VDD电压稳定性     1   %
ΔFTEMP 频率温度稳定性 -30-100℃   1   %
FJITTER 频率抖动   -4   4 %
门驱动输出(GATE Pin)
VOL GATE输出低电平 VDD=14V, IO=5mA     1 V

 
VOH GATE输出高电平 VDD=14V, IO=5mA 6     V
TR 上升时间1 CL=1nF   123   ns
TF 下降时间1 CL=1nF   71   ns
VG_CLAMP GATE输出钳位电压 VDD=20V   12   V
过温保护(RT)
IRT RT端直流偏置电流     100   μA
VTH_OTP 过温保护检测电压   0.95 1 1.05 V
TD_OTP 过温检测防误触发屏蔽时间     32   CLK
VRT_NC RT悬空电压     2.3   V
VTH_OVP 外围可调OVP直流电压     4   V

工作原理描述

启动电流和欠压锁定
CR6855L 是一款高集成度、低功耗的电流模式 PWM 控制芯片,该芯片适用于离线式 AC-DC 反激拓扑的中小功率电源模块。芯片内置固定 65kHz 工作频率;在轻载和无负载情 况下自动进入 PFM 和 CRM,这样可以有效减小电源模块的待机功耗,达到绿色节能的目的。 CR6855L 具有很低的启动电流,因此一个 2M 欧姆的启动电阻和一个 10μF/50V 电容器相配 合可以有效保证 VDD 电压正常启动。
CR6855L的启动/关闭电压被设定在13.5V/7V。启动时,VDD电容器必须通过启动电阻 充电高于13.5V,关闭时,VDD电容上的电压必须低于7V。这6.5V的迟滞电压有效地保证了 芯片能够正常启动。
 

绿色节能

对小功率反激电源而言,主要的待机损耗包括传导损耗、开关损耗和控制芯片的损耗, 而这些损耗都和开关频率有关。在轻负载或者无负载时,降低PWM工作频率,可以减小待 机功耗。为了实现小于100mW的待机功耗,CR6855L采用了PWM、PFM 和CRM相结合的 控制方法:在中等负载或重载时,CR6855L工作在PWM模式,频率为65kHz ,通过调节脉 冲宽度控制输出电压。 FB 电压随着负载减小而减小,当 FB反馈电压小于设定电压值 VREF_GREEN时,内部模式控制器进入PFM,振荡器的工作频率随着负载的降低而降低,并最 终嵌位在22kHz附近。为了进一步降低待机功耗,CR6855L引入一种周期复位技术,当FB端 的反馈电压进一步降低到小于VREF_CRM_L时,内部逻辑电路在PWM的下降沿对寄存器复位, 在PWM上升沿通过检测输出电压值对寄存器置位。内部振荡器频率保持不变,逻辑电路将 会复位一些脉冲以至于在输出GATE的实际频率降低,从而进一步降低待机功耗。
 

同步斜坡补偿

电流模式控制比普通的电压模式控制具有很多优点,但是同样存在着一些缺点。特别是 当PWM占空比大于50 %,整个控制环路可能变得不稳定,抗干扰性能变差。CR6855L内置一个 同步的斜坡补偿可以提高系统的稳定性,防止电压毛刺产生的次谐波振荡。
 

短路保护和过载保护

CR6855L提供了一个较好的短路和过载保护功能,当短路或过载发生的时候,FB反馈 引脚的电压将会升高,当电压超过3.7V,内部探测电路检测到该状态并延迟88ms以后发出 一个信号控制关断GATE输出,然后VDD电压跌破UVLO_ON电路重启。

软启动

每一次VDD电源启动瞬间,CR6855L芯片内部都将触发软启动功能,即在VDD电压达 到UVLO_OFF以后,在大约4ms时间内,峰值电流从0上升到最大值峰值电流,以减少电源启 动期间功率管电压应力。注意:无论何种保护导致的VDD再次启动,都必将触发软启动功 能。
 

前沿消隐(LEB)

开关管的每次开启不可避免带来开关毛刺,它通过RCS采样后,对内部逻辑电路带来干 扰,引起内部寄存器的误动作。为了消除开关毛刺的影响,CR6855L中设计了220ns的前沿 消隐电路,它可以代替传统的外接RC滤波电路,节省外围元件。
NE1102

过压保护 (OVP)和过温保护(OTP)

为了提高芯片的可靠性,CR6855L中集成了VDD过压保护和外围可调的过温保护功能, 当发生VDD过压保护或者过温保护的时候,芯片关闭GATE输出,并进入LATCH锁存保护状 态,在此状态下,GATE端始终没有输出波形,只有通过拔掉交流输入电压并且将VDD端电 压降低到小于4V以下之后,再接通交流输入电压,等VDD端电压上升到大于UVLO_OFF电压 以后才能解除LATCH锁定状态。
 

输出驱动和软钳位

CR6855L 输出采用图腾柱结构驱动外围功率 MOS 管;为了减小驱动时的贯通电流,引 入了死区时间,如图:当一个 NMOS 关断后,另外一个 NMOS 才开启;同时,为了保护外 围的功率管不会发生栅击穿和钳位齐纳管的电流饱和,在输出上采用了软钳位技术。
CR6855L

低电磁干扰技术(Low EMI)

CR6855L引进了频率低电磁干扰技术。如下图所示,内部振荡器频率可自行调节。整个 上升周期包括128脉冲,抖动范围在-4%到+4%。因此这个功能可以使对电源模块的电磁干扰 降到最低。
CR6855L
CR6855L
CR6855L
尺寸描述

符号 毫米 英寸
  最小 典型 最大 最小 典型 最大
A     5.334     0.210
A1 0.381     0.015    
A2 3.175 3.302 3.429 0.125 0.130 0.135
b 1.470 1.524 1.570 0.058 0.060 0.062
b1 0.380 0.460 0.510 0.015 0.018 0.021
D 9.017 9.271 10.160 0.355 0.365 0.400
E 7.620 7.870 8.25 0.300 0.310 0.325
E1 6.223 6.350 6.477 0.245 0.250 0.255
e 2.500 2.540 2.580 0.098 0.100 0.102
L 2.921 3.302 3.810 0.115 0.130 0.150
eB 8.509 9.017 9.525 0.335 0.355 0.375
θ? 0? 7? 15? 0? 7? 15?

CR6855L
符号 单位(毫米) 单位(英寸)
  最小 最大 最小 最大
A 0.700 1.150 0.028 0.045
A1 0.000 0.100 0.000 0.004
B 1.397 1.803 0.055 0.071
b 0.300 0.559 0.012 0.022
C 2.591 3.000 0.102 0.118
D 2.692 3.099 0.106 0.122
e 0.838 1.041 0.033 0.041
H 0.080 0.254 0.003 0.010
L 0.300 0.610 0.012 0.024

CR6855L
产品型号 封装类型 包装材质 一管 一盒 一箱
CR6855L DIP-8L 料管 50 2000 20000

 CR6855L
产品型号 封装类型 包装材质 一盘 一盒 一箱
CR6855L SOT23-6L 编带 3000 30000 120000

产品最小订购量为30000片,即一盒的芯片数
 
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