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启达六级能效电源芯片CR523X-CR5231/CR5233/CR5234/CR5

时间:2017-07-20 14:10
CR523X--CR5231/CR5233/CR5234/CR5239 100mW  低待机高性能电流模式 PWM 

启达授权一级代理商(为客户提供方案及技术支持)

主要特点
 全电压范围待机低于100mW
 满足能效六级标准
 PSM模式降低待机功耗
 内置软启动
 良好的EMI特性
 零噪声工作
 典型65kHz开关频率
 电流模式控制
 内置斜坡补偿
 内置前沿消隐
 启动电流和工作电流低
 VDD端过压保护
 过载保护
 逐周期过流保护
 过温保护
 DIP-8L、SOP-8L绿色封装
 
基本应用
  电源适配器
  开放式电源
  数码相机和摄像机电源
  电脑和服务器辅助电源
  机顶盒电源
  掌上电脑电源

产品概述
CR523X-CR5231/CR5233/CR5234/CR5239 是一款高性能的电流控制型 PWM 开关,全电压范围内待机功耗小于 100mW,满足能效六标准。为了减少待机功耗和提升效率,CR523X -CR5231/CR5233/CR5234/CR5239集成了多种工作模式。随着负载的变化,CR523X-CR5231/CR5233/CR5234/CR5239 可以工作在三种不同的模式,并且每种模式都做了优化。当负载很重时,系统工作在传统的 PWM(脉冲宽度调制)模式。当负载变轻时,系统进入 PFM(脉冲频率调制)模式。在 PFM 模式下,随着负载的逐渐变轻,开关频率也逐渐的减小。CR523X -CR5231/CR5233/CR5234/CR5239中独有的频率变换模块可以使开关频率平滑降低而不产生噪声。由于频率的降低,开关损耗也被有效的减小了。当负载继续降低而低于某一设定值时,系统进入 PSM(跳频调制)模式。在 PSM 模式下,一些开关周期被跳过,这些周期内开关管完全关断,因此这种模式可进一步降低待机功耗。在上述的三种工作模式下,都集成了频率抖动功能,来提升系统的 EMI特性。芯片还集成了输出过功率限制动态补偿模块来使系统在全电压范围(90V~264V)内输出过功率保护点恒定。CR523X-CR5231/CR5233/CR5234/CR5239集成了多种功能和保护特性,包括欠压锁定(UVLO),VDD过压保护(OVP),软启,过温保护(OTP),逐周期电流限制(OCP),过载保护(OLP),SENSE引脚悬空保护,GATE端箝位,前沿消隐。
CR5331规格书
启达,启达科技
极限参数
 

 
参数 单位
DRAIN 引脚电压 -0.3 to BVdss V
VDD/VDD_G 引脚电压 -0.3 to 30 V
SENSE/FB 引脚电压 -0.3 to 6 V
最小/最大结温 -40 to 150
存储温度 -50 to 150
DIP-8L/SOP-8L 焊接温度 (10 秒) 260
ESD 能力,人体模型 4000 V
ESD 能力,机械模型 250 V
 

推荐工作环境

 
  封装 230VAC ±15% 85-265VAC
开放式 1 开放式 1
CR5231 DIP-8L 16W 11W
CR5233 SOP-8L 8W 6W
CR5234 DIP-8L 20W 15W
CR5239 DIP-8L 27W 18W
 
开放式应用实际最大功率必须保证足够的 DRAIN 散热面积,测试条件 50℃环境温度。增加散热面积 或风冷来减小热阻可以获得更高的输出功率。

电气特性

VDD=16V, TA=25℃ 除了另作说明
 
符号 参数 测试条件 最小 典型 最大 单位
电源电压(VDD 引脚)
IST VDD 启动电流 VDD=15V   5 20 μA
IOP 工作电流 FB=3V   1.3   mA
UVLO_ON 导通阈值电压   7.0 8.0 9.0 V
UVLO_OFF 关断阈值电压   16 17 18 V
VDD_OVP VDD OVP 触发电
  26 28.5 31 V
电压反馈 (FB 引脚)
VFB_OPEN FB 开路电压   4.5 5.2 5.9 V
IFB_SHORT FB 对地短路电流     0.35   mA
VTH_0D 零占空比阈值电压     0.8   V
VTH_PL 功率限制 FB 阈值
电压
    3.6   V
TD_PL OLP 延时触发时
    54   ms
ZFB_IN 输入阻抗     15.7   kohm
电流检测引脚(SENSE Pin)
TSS 软启动时间     4   ms
TLEB LEB 时间     270   ns
ZSENSE_IN 输入阻抗     40   kohm
TD_OC 过流检测控制延时     100   ns
VTH_OC 内置 OCP 过功率
阈值电压
FB=3V 0.72 0.75 0.78 V
振荡器
FOSC 典型振荡器频率   60 65 70 kHz
?FOSC/FOSC 频率抖动范围   -4   4 %
△F_TEMP 温度变化下频率抖
动范围
    5   %
△F_VDD VDD 变化下频率
抖动范围
    5   %
DMAX 最大占空比 FB=3V, SENSE =0V 65 75 85 %
F_BURST Burst 模式下正常
工作频率
    22   kHz
功率 MOSFET
BVdss MOSFET 漏源击
穿电压
VGS=0V, IDS=250μA 600     V
 
RDS_ON
 
漏源之间静态导通 电阻
VGS=10V, IDS=0.5A CR5231 DIP-8L   9.0   ohm
CR5233 SOP-8L   9.0   ohm

 
    VGS=10V, IDS=1A CR5234 DIP-8L   4.5   ohm
VGS=10V, IDS=2A CR5239 DIP-8L   2.2   ohm
过温保护
T_OTP 过温保护     150  


工作原理

CR523X-CR5231/CR5233/CR5234/CR5239 是一款低待机高性能电流模式 PWM 开关,低于 100mW 待机功耗和满足能效 六,同时内置多种保护功能和优异的性能使得 CR523X -CR5231/CR5233/CR5234/CR5239在中小规模电源变换器中极具竞争 力。
 

启动和工作电流

CR523X-CR5231/CR5233/CR5234/CR5239 典型的启动电流只有 5μA,因此大阻值的启动电阻的使用可以降低功率损失。 在全电压输入范围内,使用 CR523X-CR5231/CR5233/CR5234/CR5239 的普通 AC/DC 适配器中,可以使用阻值为 2M 的启动 电阻,既可以满足快速启动的要求,又降低了启动损耗。
CR523X-CR5231/CR5233/CR5234/CR5239 的正常工作电流仅仅只有 1.3mA。低的工作电流可以提高整个系统的效率,同 时 VDD 端可以采用较小的供电电容。
 

工作频率和频率抖动

CR523X-CR5231/CR5233/CR5234/CR5239 内部设置典型值为 65kHz 的振荡器。同时为了提高 EMI 特性,CR523X -CR5231/CR5233/CR5234/CR5239还内 置了频率抖动使其实际工作频率在设定值的±4%范围内抖动。
 

逐周期电流检测和前沿消隐

CR523X -CR5231/CR5233/CR5234/CR5239集成逐周期电流检测 PWM 控制器,通过 SENSE 电阻检测功率管电流。每次 功率管开启的时候,检测电阻上会产生一个大的尖峰电压。这个尖峰是由初级电容和次级整 流反向恢复产生的。为了避免由这个尖峰电压引起的错误的峰值电流检测导致功率管提前关 断,CR523X -CR5231/CR5233/CR5234/CR5239内部设置了前沿消隐电路。在前沿消隐的时间段里(典型值为 270ns),PWM 比较器不工作,从而不能关断 GATE 驱动端。前沿消隐可以代替传统的外接 RC 滤波电路, 节省外围元件。由 SENSE 电阻上的输入电压和 FB 输入电压来决定 PWM 的占空比。
 

内置斜坡补偿

在普通的应用中,对于电流模式的控制器,当开关的占空比超过 50%时,控制环路稳定 性变得至关重要。在 CR523X -CR5231/CR5233/CR5234/CR5239中,内置了斜坡补偿电路来避免环路不稳定的发生。斜坡补偿 通过在检测电压上叠加一个斜坡电压来控制 PWM 的产生。这极大的改善了在 CCM 模式下 的闭环的稳定性,同时防止了次谐波震荡,减小输出纹波电压。
 

恒功率限制

在反激应用中,由于 GATE 驱动延时的存在,当输入交流电压变化时会导致系统过功率 点的改变。在 CR523X-CR5231/CR5233/CR5234/CR5239 中,集成了独有的恒功率限制模块,来对不同的输入电压进行过功率 补偿,保证输出过功率保护点恒定。
 

软启动

CR523X-CR5231/CR5233/CR5234/CR5239 内置了典型值 4ms 的软启动时间,在启动时用来缓慢增加逐周期过流保护的阈 值电压。在启动时,它能够有效防止变压器磁芯饱和,还可以减少次级二极管的应力。每次

VDD 的跌破重启都会触发软启动功能。
 

绿色模式

开关电源控制器在轻载或者空载时的主要功率损耗来自于开关损耗,开关损耗正比与 PWM 开关频率。为了满足绿色模式的需求,在这种情况下必须减小开关的次数。可以通过 降低开关的频率或者间歇式开启(跳过一些周期,隔一段时间导通几个周期)来实现。
 

驱动

CR523X -CR5231/CR5233/CR5234/CR5239的输出级是一个图腾式栅极驱动。交叉导通的方式有效减小了热损失,提高了 效率并且增强了稳定性。芯片内部为 MOSFET 的栅端设置了钳位保护电压以防止 VDD 异 常时的驱动问题。同时,芯片内部还设置了软驱动来提升 EMI 特性。
与此同时,可以通过调节 VDD 和 VDD_G 之间的电阻来调节驱动能力,并能够优化 EMI
特性。
 

保护功能

CR523X -CR5231/CR5233/CR5234/CR5239为了确保系统的正常工作内置了多重保护措施。这些保护措施包括逐周期的电 流限制、峰值电流限制、过温保护、过载保护、过压保护、SENSE 开路保护、欠压锁定等。 芯片的供电电源 VDD 由辅助绕组提供。当 VDD 低于进入欠压锁定的阈值电压时,开关将 会被关断,随后系统自动进入重启状态。




符号 毫米 英寸
最小 典型 最大 最小 典型 最大
A     5.334     0.210
A1 0.381     0.015    
A2 3.175 3.302 3.429 0.125 0.130 0.135
b 1.470 1.524 1.570 0.058 0.060 0.062
b1 0.380 0.460 0.510 0.015 0.018 0.021
D 9.017 9.271 10.160 0.355 0.365 0.400
E 7.620 7.870 8.25 0.300 0.310 0.325
E1 6.223 6.350 6.477 0.245 0.250 0.255
e 2.500 2.540 2.580 0.098 0.100 0.102
L 2.921 3.302 3.810 0.115 0.130 0.150
eB 8.509 9.017 9.525 0.335 0.355 0.375
θ? 0? 7? 15? 0? 7? 15?

CR5233规格书
符号 毫米 mm 英寸 inch
最小 典型 最大 最小 典型 最大
A 1.346   1.752 0.053   0.069
A1 0.101   0.254 0.004   0.010
b 0.38   0.51 0.015   0.020
c 0.17   0.23 0.007 0.008 0.009
D 4.648   5.050 0.183   0.199
E 3.810   3.987 0.150   0.157
e 1.016 1.270 1.524 0.040 0.050 0.060
F   0.381X45°     0.015X45°  
H 5.791   6.197 0.228   0.244
L 0.406   1.270 0.016   0.050
θ?    

CR5234规格书

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