时间：2015-12-07 10:37

电气特性
（VDD=15V, TA=25℃ 除了另作说明）
 

符号	参数	测试条件		最小	典型	最大	单位
电源电压（VDD 引脚）
IST	VDD 启动电流	VDD=13.5V			5	15	μA
IOP	工作电流	VFB=3V			0.8	1.0	mA
UVLO_ON	导通阈值电压			7.0	7.6	8.2	V
UVLO_OFF	关断阈值电压			13.9	14.9	15.9	V
VDD_OVP	VDD OVP 触发电压	CS=0V,FB=3V		23	25	27	V
电流检测引脚(CS Pin)
TLEB	LEB 时间				300		ns
TD_OC	过流检测控制延时				100		ns
VTH_OC_MIN	最小 OCP 过功率阈值 电压			485	500	515	mV
VTH_OC_MAX	最大 OCP 过功率阈值 电压				580		mV
TON_MAX	最大开启时间				50		μs
FB 引脚
VFB_REF	反馈环路 FB 阈值电压			2.475	2.5	2.525	V
TPAUSE_MIN	最小关断时间				2		μs
F_MIN	最小频率			380	440	500	Hz
ICOMP_MAX	最大线补电流			22	24	26	μA
VOUT_OVP	输出过功率阈值电压			2.9	3.0	3.1	V
GATE  引脚
V_CLAMP	GATE 钳位电压			10.5	12	13.5	V
TRISE	GATE 上升沿时间	CL=0.22 nF			370		ns
TFALL	GATE 下降沿时间	CL=0.22 nF			60		ns
功率 MOSFET
BVdss	MOSFET  漏源击穿电 压	VGS=0V, IDS=250μA		600			V
RDS_O  * N	MOSFET 漏源静态导 通电阻	VGS=10V IDS=0.5A	CR5355 SOP-7L		9	11	ohm
		VGS=10V IDS=1.0A	CR5357 SOP-7L		5.5	6.5	ohm
		VGS=10V IDS=1.0A	CR5358 DIP-8L		4.5	5.0	ohm
过温保护
OTP_TH	过温保护				160		℃
OTP_REC	恢复温度				130		℃

 
* 集成化功率 MOSFET 的内阻和封装形式、散热、环境温度都有关系，本说明书所给值为 室温下分立封装的 MOSFET 内阻。


工作原理
        CR535X 是一款高性能原边检测控制的 PWM 开关，待机功耗小于 50mW。CR535X 内 部采用了多模式控制的效率均衡技术，用于优化芯片系统待机功耗和提升效率，同时采用了 初级电感量补偿技术和内部集成的输出线电压补偿技术，保证了芯片在批量生产过程中 CC/CV 输出精度，内置的全电压功率自适应补偿技术保证了系统在全电压范围（90V~264V） 内输出恒定的功率。它采用原边控制方式，因此不需要 TL431 和光耦。
 
快速启动
       CR535X 的启动电流非常小，能快速将 VDD 电压充电超过 UVLO 阈值。启动电阻分别 连接到直流高压端和功率 MOSFET 的 GATE 端之间。通过功率 MOSEFT 的源端到 VDD 端 之间内部寄生二极管来给 VDD 电容充电。因此可以用一个大的启动电阻来降低待机功耗。



恒流/恒压工作


辅助绕组上的电压反射出输出电压如图所示：


其中 ΔV 为输出续流二极管的管压降。


FB 端通过辅组绕组和 GND 之间的分压电阻进行采样。内置采样电路在退磁时间内设 置的时刻开始采样并保持到下一次采样，再将采样电压与误差放大器基准电压比较放大，根 据负载状态调整开关管关断时间来调整输出电压。
 
CC 工作点和输出功率可调
CR535X 的 CC 工作点和输出功率可调通过调节 CS 端的外接电阻 RS，在 RS 比较大的 情况下，CC 工作点和输出功率都比较小，如图 3 所示。

OCP 补偿
如果没有 OCP 补偿，在 CC 模式下最大电流限制变化会比较大。所以 OCP 的阈值电 压需根据输入交流电压的高低而自动调节。OCP 电压斜波补偿能够抵消交流电压高时引起 过流点的偏大。CR535X 内部集成了 OCP 补偿模块，不需要额外器件。CR535X 内部 OCP 补偿模块是通过检测导通时间来实现这个功能的。当导通时间在 2.0μS 到 4.5μS 之间，OCP 阈值电压线性从 500mV 增加到 580mV，当导通时间大于 4.5μS，OCP 阈值电压被钳位在 580mV。如下图所示：

开关的频率
 
CR535X 的开关频率根据负载状态和工作模式的不同而改变。 当工作在反激断续工作模式下时，最大输出功率为


式中 LP 为初级绕组的电感值， I P 为初级绕组的峰值电流。
在 CC 模式下，当初级绕组的电感量发生改变时，导致最大输出电流发生改变。为了补 偿初级电感量的变化，开关频率通过内部电路锁定为：

CR535X 采用芯片内部设置 LP FSW 为常数的方法克服了 CC 模式下最大输出电流随着初 级电感量的变化而改变的缺陷。
 
线损补偿
为了达到良好的负载调整率，CR535X 内部集成了线损补偿功能。FB 端的采样电压由 两部分组成：1、输出电压通过变压器绕组反馈到 FB 端的电压；2、芯片内部线损补偿电流 流过分压电阻所产生的电压，这个电流与开关管关断时间成正比，与负载电流成反比，所以 使得由于输出负载电流变化而导致的输出电压变化能够得到有效补偿。
最大补偿百分比为：


CR535X  为了确保系统的正常工作内置了多重保护措施。这些保护措施包括欠压锁定
（UVLO），VDD 过压保护（OVP），软启，过温保护（OTP），逐周期电流限制（OCP）， VOUT 过压保护，FB 引脚悬空保护，输出短路保护，前沿消隐等。芯片的供电电源 VDD 由辅助绕组提供。当 VDD 低于进入欠压锁定的阈值电压时，开关将会被关断，随后系统自 动进入重启状态。

特性曲线及波形
（VDD=15V, TA=25℃ 除了另作说明）。



DIP-8L


尺寸描述

符号	毫米			英寸
	最小	典型	最大	最小	典型	最大
A			5.334			0.210
A1	0.381			0.015
A2	3.175	3.302	3.429	0.125	0.130	0.135
b	1.470	1.524	1.570	0.058	0.060	0.062
b1	0.380	0.460	0.510	0.015	0.018	0.021
D	9.017	9.271	10.160	0.355	0.365	0.400
E	7.620	7.870	8.25	0.300	0.310	0.325
E1	6.223	6.350	6.477	0.245	0.250	0.255
e	2.500	2.540	2.580	0.098	0.100	0.102
L	2.921	3.302	3.810	0.115	0.130	0.150
eB	8.509	9.017	9.525	0.335	0.355	0.375
θ?	0?	7?	15?	0?	7?	15?

SOP-7L

符号	毫米			英寸
	最小	典型	最大	最小	典型	最大
A			1.75			0.689
A1	0.10		0.225	0.039		0.089
A2	1.30	1.40	1.50	0.512	0.551	0.591
A3	0.60	0.65	0.70	0.236	0.256	0.276
b	0.39		0.48	0.154		0.189
b1	0.38	0.41	0.43	0.150	0.161	0.169
c	0.21		0.26	0.083		0.102
c1	0.19	0.20	0.21	0.075	0.079	0.083
D	4.70	4.90	5.10	1.850	1.929	2.008
E	5.80	6.00	6.20	2.283	2.362	2.441
E1	3.70	3.90	4.10	1.457	1.535	1.614
e	1.27BSC			1.27BSC
h	0.25		0.50	0.098		0.197
L	0.50		0.80	0.197		0.315
L1	1.05BSC			1.05BSC
θ?	0		8?	0		8?

印章信息

订购信息
 

产品型号	封装类型	包装材质	一管	一盒	一箱
CR535X	DIP-8L	料管	50	2000	20000
CR535X	SOP-7L	料管	100	10000	100000

 
DIP-8L 封装产品最小订购量为 2000 片；SOP-7L 封装产品最小订购量为 10000 片，即 一盒的芯片数量。