启达/启臣微CR5268SM+CR3015NSPF_12V2A方案资料参考
CR5268SM芯片特性：
CR5268SM是采用内置650V高压功率MOSFET，反激式PWM功率开关；
内置软启动，减小MOSFET的应力，内置斜坡补偿电路；
65kHz开关频率，具有频率抖动功能，使其具有良好的EMI特性；
全电压输入范围，待机功耗:< 75mW；
输出接20AWG 1.5米，四点平均效率:>87.0%，满足“COC_T2”能效要求 ；
具有“软启动、OCP、SCP、OTP、OVP自动恢复等保护功能；
电路结构简单、较少的外围元器件，适用于小功率AC/DC电源适配器、充电器；
CR3015NSPF 芯片特性：
支持 CCM & QR & DCM 工作模式；
内置 85V 功率 MOS 管；
可自供电，支持正端/负端应用；
精确的外围电路；
VCC 欠压保护；
最大支持 200kHz 工作频率。
1 样机介绍：
该测试报告是基于一个能适用于宽输入电压范围，输出功率24W，恒压12V输出的工程样机，控制IC采用了本公司的CR5268SM。
CR5268SM_12V2A工程样机示意图（详情参考PDF资料）
CR5268SM是一款采用内置高压功率MOSFET，具有优化的图腾驱动电路以及电流模式PWM控制器，适用于待机功耗<75mW的小功率AC/DC电源适配器、充电器电源。CR5268SM是一款高集成度、低待机功 耗的 CCM+PFM 混合电流模式 PWM 控制 开关。CR5268SM轻载时会降低频率，最低 频率 22kHz 可避免音频噪声。
该样机大小73.8mm×36.8mm，AC264V输入待机功耗<75mW，平均效率>87.0%，能够满足“能源之星V2.0 VI级能效”与欧洲COC_T2标准；具有“OCP、OTP、 VDD_OVP、UVLO ”等多种保护功能；软启动功能可以 减少系统启动时 MOSFET 的应力，前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和 软驱动电路的设计，降低开关噪声，简化 了 EMI 设计。
样机的变压器，采用了EE22加宽磁芯（PC40材质），变压器绕制工艺部分，详细请见PDF说明。
2 样机特性：
以下表格为工程样机的主要特性，具体测试方法在第4章节中有详细说明。
2.1输入特性:
|
类型 |
符号 |
最小值 |
典型值 |
最大值 |
单位 |
测试条件 |
|
输入电压 |
Vin |
90 |
|
264 |
V |
2 wire，no P.E. |
|
输入频率 |
fline |
47 |
50/60 |
64 |
Hz |
|
类型 |
符号 |
最小值 |
典型值 |
最大值 |
单位 |
测试条件 |
|
输出电压 |
Vout |
11.287 |
12 |
12.178 |
V |
CC模式测得 |
|
输出电流 |
IO |
0 |
2 |
2.31 |
A |
|
类型 |
符号 |
最小值 |
典型值 |
最大值 |
单位 |
测试条件 |
|
待机功耗 |
PNL |
|
|
68 |
mW |
Vin=AC 264V |
|
低压效率 |
n |
|
|
88.41% |
% |
AC115V平均效率 |
|
高压效率 |
n |
|
|
88.55% |
% |
AC230V平均效率 |
|
线性调整率 |
Vline |
|
0 |
|
% |
|
|
负载调整率 |
Vload |
|
+/-1.6 |
|
% |
|
|
启动时间 |
Tst |
|
|
2.648 |
S |
100Vac满载 |
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