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CR5865AS高性能氮化镓PWM控制器芯片 |

芯片概述 CR5865AS 是一款电流模式控制的准谐振反激AC-DC 电源管理功率开关芯片,采用GaN HEMT 作为功率开关。芯片内部采用非连续电流导通模式(QR)工作,当磁芯能量完全释放完毕,变

芯片概述
CR5865AS 是一款电流模式控制的准谐振反激AC-DC 电源管理功率开关芯片,采用GaN HEMT 作为功率开关。芯片内部采用非连续电流导通模式(QR)工作,当磁芯能量完全释放完毕,变压器的初级电感和GaN HEMT 结电容谐振到最低值时,初级功率管导通,从而改善功率管开通损耗,提高整个功率范围的效率。

高压启动
芯片内置高压启动电路,上电启动时,芯片通过HV 对VDD 外置电容以2mA 的充电电流进行充电,直至VDD 电压升至大于UVLO_OFF 电压时,充电电流关闭,高压启动结束,芯片输出PWM
波,VCC 电容开始由辅助绕组供能。

多功能复用的DEM 引脚
DEM 脚集合了输入电压上电检测、输入电压掉电检测、输入电压高低压检测、退磁检测、输出过压保护功能。由于功率管存在关断延迟,在高压输入下,为了防止输出最大功率偏大,芯片内置高低压功率补偿电路,使不同电网电压输入时的最大功率基本一致。

输入电压上电检测
高压启动结束后,若连续3 个PWM导通时间内均检测到DEM 引脚电流大于IBROWN_IN,则判定为母线上电成功,进入软启动;若连续6 个PWM 未检测到母线上电成功,则判定为母线上电失败,停止PWM,16ms 后重新上电启动。

退磁检测
在功率GaN HEMT 关断后,辅助绕组正端电压由负电压变为正电压,变压器进入退磁阶段,当退磁结束后,辅助绕组正端的电压开始下降并以一定的谐振频率开始振荡。芯片通过DEM 脚采样辅助绕组电压,当辅助绕组震荡到谷底时功率GaNHEMT 开始下一个导通周期开始。


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